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2024-12-24 19:38:26
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半導體材料專家梁駿吾院士逝世
【光明追思】
半導體材料專家、半導中國工程院院士、體材中國科學院半導體所研究員梁駿吾，料專因病醫治無效，家梁駿吾于2022年6月23日在北京逝世，院士國產一碼二碼三碼區別享年89歲。逝世國產亞洲精品AAAA片APP
梁駿吾，半導1933年9月18日出生，體材湖北武漢人。料專1955年畢業于武漢大學，家梁駿吾1956年至1960年在蘇聯科學院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻讀副博士學位，院士1960年獲技術科學副博士學位。逝世?1997年當選為中國工程院院士。半導國產亞洲精品AAAA片小說曾任中國電子學會半電子材料學分會主任、體材名譽主任。料專
梁駿吾是我國從事硅材料研究的元老級專家，在20世紀60年代解決了高純區熔硅的國產亞洲精品A片久久久關鍵技術。1964年制備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、國產亞洲精品精華液低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。
梁駿吾一生與半導體材料科研事業相伴，他曾在采訪中說，希望通過自己的科研經歷，帶給年輕科研人員一些啟發，讓他們看到這份事業可以有所作為，讓他們覺得自己同樣能夠作出成績。（光明日報全媒體記者李苑）